Pengertian Dioda Schottky dan Prinsip Kerjanya – Dioda Schottky yakni jenis Dioda dengan tegangan jatuh (drop voltage) yang rendah jikalau dibandingkan dengan dioda normal lainnya. Perbedaan yang paling fundamental antara Dioda Schottky dengan Dioda Normal yakni penggunaan Logam-semikonduktor (Metal-Semiconductor Junction) untuk persimpangan Dioda Schottky sedangkan Dioda Normal pada umumnya memakai Persimpangan Semikonduktor-semikonduktor (Semiconductor-semiconduction Junction).
Dioda Schottky atau Schottky Diode ini biasanya dipakai pada rangkaian switching berkecepatan tinggi, rangkaian Frekuensi Radio (RF), Mixer dan rangkaian Penyearah Pencatu Daya. Nama Schottky ini diambil dari nama penemu dampak Schottky yaitu Walter H. Schottky yang berasal Jerman. Efek Schottky yakni dampak penghalang potensial yang terbentuk pada pertemuan logam-semikonduktor yang memiliki karakteristik penyearahan. Efek tersebut cocok untuk penggunaannya pada dioda. Oleh alasannya yakni itu, Dioda Schottky (Schottky Diode) disebut juga dengan Dioda Penghalang atau Barrier Diode.
Struktur Dioda Schottky
Pada Dioda Normal yang memakai persimpangan Positif-Negatif (PN Junction), semikonduktor tipe-p dan semikonduktor tipe-n dipakai untuk membentuk persimpangan p-n. Sedangkan pada Schottky Diode, semikonduktor tipe-p digantikan dengan materi jenis logam menyerupai aluminium ataupun platinum sehingga membentuk sambungan persimpangan logam-semikonduktor tipe-n (Metal-Semiconductor tipe-n). Sambungan antara logam dan semikonduktor ini menghasilkan lapisan penghalang atau lapisan deplesi yang dikenal dengan istilah “schottky barrier” atau “penghalang schottky”.
Prinsip Kerja Dioda Schottky
Pada ketika Dioda Schottky (Diode Schottky) tidak diberikan tegangan atau dalam kondisi unbiased (kondisi tanpa tegangan), tingkat energi elektron yang berada di sisi semikonduktor tipe-n sangat rendah jikalau dibandingkan dengan tingkat energi di sisi logam. Dengan demikian, elektron tidak sanggup mengalir melalui penghalang persimpangan yang disebut dengan penghalang schottky ini. Namun apabila Dioda Schottky diberikan tegangan bias maju (forward bias), elektron di sisi semikonduktor tipe-n akan menerima energi yang cukup untuk melewati penghalang persimpangan dan masuk ke wilayah logam. Elektron ini masuk ke dalam wilayah logam dengan energi yang sangat besar sehingga disebut juga elektron pembawa panas (hot carrier). Oleh alasannya yakni itu, Schottky Diode ini sering juga disebut dengan Dioda Pembawa Panas atau Hot Carrier Diode.
Arus listrik akan mengalir melalui Schottky Diode secara bias maju (forward bias) apabila terdapat tegangan maju yang cukup diberikan ke Schottky Diode. Karena pedoman arus listrik ini, akan terjadi kehilangan tegangan kecil pada ketika melintasi terminal dioda Schottky, kehilangan tegangan inilah yang disebut dengan “drop voltage”. Kehilangan Tegangan atau Drop Voltage pada Dioda Silikon (dioda normal) biasanya yakni sekitar 0,6V sampai 0,7V, sementara drop voltage pada Dioda Schottky hanya sekitar 0,2V sampai 0,3V.
Dengan kata lain, tegangan yang terbuang untuk mengaktifkan Dioda Silikon yakni sekitar 0,6V sampai 0,7V sedangkan tegangan yang terbuang hanya sekitar 0,2V sampai 0,3V. Artinya, Schottky Diode mengkonsumsi tegangan yang lebih kecil dari Dioda Normal pada umumnya.
Karakteristik utama Schottky Diode yang sanggup dinyalakan (switch ON) dan dimatikan (switch OFF) lebih cepat serta tidak menghasilkan noise yang berlebihan (noise yang tidak diinginkan) dibandingkan dengan dioda normal yang memakai persimpangan PN ini menjadikannya cocok untuk diaplikasikan ke rangkaian yang memerlukan switching ON/OFF berkecepatan tinggi.
Sumber https://teknikelektronika.com/